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第171章 都搞定了 (第2/4页)
教授,咱们现在造1纳米芯片,是不是有些激进了?按照当前的理论,硅芯片若是做到2纳米以下,就会直接“漏电”电子将会直接穿过栅极,无法再实现“开关”的功能,失去了二极管的特性,理论上无法做成。”张振兴对着陈阳说道。 “这确实是一个技术难题,不过,并不会成为硅基芯片的极限。10年前,说硅基芯片的极限是68纳米,5年前说硅基芯片的极限是22纳米,3年前说硅基芯片的极限在10纳米,之前又说是7纳米,5纳米,现在又说是2纳米。 这些都不过是猜测而已! 关于1纳米面临的栅极击穿问题,咱们可以改变栅极结构,由原来的立体或者鱼鳍形结构,变成球体!或者半球体!而在球体或者半球体结构上,采用不同的物质,看似是两条通道,实际是四条通道,这样可以有效阻挡电子的通过,但是,这些增加的通道,又并未大幅增加电子的传输距离!” “这样的话,岂不是会增大很多的能耗?”张振兴对着陈阳再次问道。 仅仅是三位立体的栅极,也已经增大了很多的能耗,这一点在手机上有很大的体现! 前不久最新设计的5纳米芯片,虽然号称是5纳米,但是,实际计算性能并未提升太多,而功耗却是原来的几倍!最直观的体验,就是手机在使用的时候,极其因为功耗过大而急速发热,甚至都能当暖手宝了!” “这个问题提在了点上,不过,我们已经把这个问题给解决了。” 随后把一个试验报告递了过去。 “这个是我
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